onsemi NVBG022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die NVBG022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von onsemi sind 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs, die für schnelle Schaltanwendungen optimiert sind. Der NVBG022N120M3S von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungs-Drives und Ausschaltspitzen auf dem Gate arbeiten. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V-Gate-Treiber, arbeitet aber auch gut mit 15-V-Gate-Treibern. Zu den typischen Applikationen für diese MOSFETs gehören On-Board-Ladegeräte (OBC) und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EVs) und Hybrid-EVs (HEVs).