NVBG022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die NVBG022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von onsemi sind 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs, die für schnelle Schaltanwendungen optimiert sind. Der NVBG022N120M3S von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungs-Drives und Ausschaltspitzen auf dem Gate arbeiten. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V-Gate-Treiber, arbeitet aber auch gut mit 15-V-Gate-Treibern. Zu den typischen Applikationen für diese MOSFETs gehören On-Board-Ladegeräte (OBC) und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EVs) und Hybrid-EVs (HEVs).

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Datenblatt
818Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 40.5 mOhms - 8 V, + 22 V 3.22 V 74.5 nC - 55 C + 175 C 297 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V
Datenblatt
800erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 30 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 142 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement