onsemi NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET
Der onsemi NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET verfügt über einen niedrigen On-Widerstand und seine kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören folglich der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, eine geringere EMI und eine geringere Systemgröße.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 44 m bei VGS = 18 V
- Typische RDS(on) = 60 m bei VGS = 15 V
- Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC)
- Geringe Kapazität (Coss = 133 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- TJ = 175 °C
- Dieses Bauteil ist bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
- Solarwechselrichter
- UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
- Energiespeicher
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Veröffentlichungsdatum: 2022-05-09
| Aktualisiert: 2024-06-19