Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 7.26 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L060N065SC1

Herst.- Nr.:

NTH4L060N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Datenblatt:

NTH4L060N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTH4L060N065SC1

Auf Lager: 430

Lagerbestand:: 430 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 17 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 7,26	€ 7,26
	€ 5,34	€ 53,40
	€ 5,20	€ 520,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	88 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	NTH4L060N065SC1
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTH4L060N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET

Der onsemi NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET verfügt über einen niedrigen On-Widerstand und seine kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören folglich der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, eine geringere EMI und eine geringere Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.