onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC-MOSFET
Der NTBG023N065M3S 23 m Ω EliteSiC-MOSFET von Onsemi bietet eine M3S-Planar-Technologie für schnellschaltende Applikationen in einem D2PAK-7L-Gehäuse. Dieser MOSFET verfügt über Drain-Source-Spannung von 650 V, einen Dauersenkenstrom von 40 A, eine Verlustleistung von 263 W und einen gepulsten Drainstrom von 216 A. Der NTBG023N065M3S MOSFET enthält eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen Hochgeschwindigkeits-Schalt-MOSFET mit niedriger Kapazität (Coss = 153 pF). Dieser MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und ist 100 % Avalanche-getestet. Der NTBG023N065M3S MOSFET ist halogenfrei und RoHs-konform mit einer Ausnahme 7a. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile (SNT), Solar-Wechselrichter, USV, Energiespeicherung und EV-Ladeinfrastruktur.
Merkmale
- Drain-Source-Spannung: 650 V
- 23 mΩ (typisch) bei VGS = 18 V
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 69 nC)
- Hochgeschwindigkeitsschalten mit niedriger Kapazität (Coss = 153 pF)
- Gate-zu-Quellen-Spannung: -8 V/+22 V
- 40 AA Dauersenkenstrom
- 263 WW Verlustleistung
- -55 °C bis 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei
- RoHS-konform mit Ausnahme von 7a
- Bleifrei 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNT)
- Solar-Wechselrichter
- USV
- Energiespeicher
- EV-Ladeinfrastruktur
Maßbild
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Veröffentlichungsdatum: 2024-07-31
| Aktualisiert: 2024-08-22