Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs
Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.
Wolfspeed bietet verschiedene On-Widerstands- und Gehäuseoptionen, um die Auswahl des richtigen Teils für spezifische Applikationen zu unterstützen. Zu den typischen Applikationen gehören erneuerbare Energien, Motorsteuerung und -antriebe, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile (SNT) und Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
Merkmale
- Höherer Systemwirkungsgrad
- Reduzierte Kühlanforderungen
- Größere Leistungsdichte
- Erhöhte Systemschaltfrequenz
- Erhältlich in Gehäuseoptionen mit separatem Kelvin-Quellen-Pin
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerung (Qrr)
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Erneuerbare Energien
- USV
- Hochspannungs-DC/DC-Wandler
- SMPS
- On- und Off-Board-EV-Ladegeräte
- Motortreiber
- EV-HLK-Motorantriebe
- Hilfsspannungsversorgung
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Veröffentlichungsdatum: 2020-06-04
| Aktualisiert: 2025-01-02