1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.

Ergebnisse: 24
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
243Auf Lager
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Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
1 613Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Datenblatt
762Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
1 014Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
691Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
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342Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
892Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datenblatt
694Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
610Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
488Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
687Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
153Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
254Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
386Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Datenblatt
477Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
3 538Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
673Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
1 228Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Datenblatt
146Auf Lager
1 000erwartet ab 02.03.2026
Min.: 1
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
155Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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880Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
894Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement