Vishay Semiconductors EL-Baureihe Hochspannungs-MOSFETs
Hochspannungs-MOSFETs der EL-Baureihe von Vishay Semiconductors sind n-Kanal-MOSFETs, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern. Diese Hochspannungs-MOSFETs bieten eine niedrige Figure-of-Merit (FOM), eine niedrige Eingangskapazität und eine niedrige Gate-Ladung. Die EL Hochspannungs-MOSFETs arbeiten mit 650 V Drain-Source-Spannung (VDS) und verwenden eine Einzel-Konfiguration. Diese Hochspannungs-MOSFETs sind mit einer UIS-Avalanche-Bewertung (UIS, Unclamped Inductive Switching) erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtung, Schweißen, Induktionserwärmung, Motorantriebe und Batterieladegeräte.
Merkmale
- Niedriger FOM (Ron x Qg)
- Niedrige Eingangskapazität (CISS)
- Reduzierte Schalt- und Leitverluste
- Niedrige Gate-Ladung (Qg)
- Avalanche-Bewertung (UIS)
Technische Daten
- 650 VDS bei maximaler Sperrschichttemperatur (TJ)
- 0,105 Ω Typ. RDS bei 25 °C
- 74 nC bis 342 nC maximaler Gate-Ladungsbereich (Qg)
- 14 nC bis 34 nC Gate-Quellen-Ladungsbereich (Qgs)
- 13 nC bis 57 nC Gatter-Drain-Ladungsbereich (Qgd)
- Einzelkonfiguration
- 1,2 V Dioden-Durchlassspannung
Applikationen
- Server- und Telekom-Netzteile
- Schaltnetzteile (SNT)
- Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC)
- Beleuchtung:
- Hochdruckentladung (HID)
- Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
- Industrieapplikationen:
- Schweißen
- Induktionserwärmung
- Motorantriebe
- Batterieladegeräte
- Erneuerbare Energie
- Solar (PV-Wechselrichter)
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Veröffentlichungsdatum: 2018-05-28
| Aktualisiert: 2023-03-11