STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET
Der STP80N600K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für sehr hohe Spannungen, der die ultimative MDmesh K6 Technologie nutzt. Diese K6-Technologie basiert auf 20 Jahren Erfahrung von STMicroelectronics in der Super-Junction-Technologie. Dank dieser Technologie bietet der STMicro STP80N600K6 den klassenbesten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überragende Leistungsdichte und hohe Effizienz erfordern.
Merkmale
- Weltweit beste RDS(on) x Fläche
- Weltweit beste FOM (Gütezahl)
- Ultrageringe Gate-Ladung
- 100 % Avalanche-getestet
- Zener-geschützt
Applikationen
- Sperrwandler
- Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
- LED-Beleuchtung
Technische Daten
- 800 VDS
- 600 mΩ RDS(on) Maximum
- 7 A ID
Typische Applikation
Dazugehörige MOSFETs
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800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.
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Veröffentlichungsdatum: 2023-05-01
| Aktualisiert: 2024-06-25