MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
2 358Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
790Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
2 334Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
997Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
1 008Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
1 055Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
698Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
37Auf Lager
2 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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58Auf Lager
1 000erwartet ab 14.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube