STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT
Der STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die HB2-Baureihe optimiert die Durchleitung mit einem besseren VCE(sat) bei niedrigen Stromwerten und reduzierter Schaltenergie. Der STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT verfügt über eine niedrige VCE(sat) von 1,65 V (typisch) bei einem IC von 20 A.
Der ST STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT enthält eine sehr schnelle, weiche Freilaufdiode, die antiparallel zusammengeschaltet ist. Dies führt dazu, dass der STGWA20H65DFB2 speziell darauf ausgelegt ist, den Wirkungsgrad für eine große Auswahl von schnellen Applikationen zu maximieren.
Merkmale
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = +175 °C
- Niedrige VCE(sat) = 1,65 V (typisch) bei IC = 20 A
- Sehr schnelle und weiche zusammengeschaltete Freilaufdiode
- Reduzierter Nachlaufstrom
- Strikte Parameterverteilung
- Niedriger thermischer Widerstand
- VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Applikationen
- Schweißen
- Blindleistungskompensation
- USV
- Solarwechselrichter
- Ladegeräte
Typische Applikation
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STMicroelectronics Standardprodukte
Eine große Auswahl von Drop-in-Ersatzteilen für Universal-Analog-ICs, diskrete und serielle EEPROMs.
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-24
| Aktualisiert: 2025-01-14