STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 1200
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,100 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT

Der STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die HB2-Baureihe optimiert die Durchleitung mit einem besseren VCE(sat) bei niedrigen Stromwerten und reduzierter Schaltenergie. Der STGWA20H65DFB2 HB2-IGBT verfügt über eine niedrige VCE(sat) von 1,65 V (typisch) bei einem IC von 20 A. 

1200V H-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über eine 5μs Kurzschlussfestigkeits-Widerstandszeit bei TJ=150°C, ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (VCE(sat)) hinunter bis zu 2,1V (Typ.), was Energieverluste während des Schaltens und Einschaltens minimiert. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie sind ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißmaschinen, Photovoltaik-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur und Hochfrequenz-Wandler.
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