STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Das STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist. Diese Technologie basiert auf einer 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics in der Superjunction-Technologie. Das Ergebnis ist der erstklassige Einschaltwiderstand pro Fläche und Gate-Ladung für Applikationen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Merkmale
- Ausgezeichneter RDS(on)-x-Bereich
- Ausgezeichneter FOM (Gütezahl)
- Ultrageringe Gate-Ladung
- 100 % Avalanche-getestet
- Zener-geschützt
Applikationen
- Sperrwandler
- Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
- LED-Beleuchtung
Absolute maximale Nennleistung
Dazugehörige MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.
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Veröffentlichungsdatum: 2022-10-17
| Aktualisiert: 2024-06-25