Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 3.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N450K6

Herst.- Nr.:

STP80N450K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STP80N450K6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STP80N450K6

Auf Lager: 229

Lagerbestand:: 229 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 13 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 229 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 3,80	€ 3,80
	€ 2,05	€ 20,50
	€ 1,85	€ 185,00
	€ 1,52	€ 760,00
	€ 1,40	€ 1 400,00
	€ 1,37	€ 3 425,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STP80N450K6 Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist. Diese Technologie basiert auf einer 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics in der Superjunction-Technologie. Das Ergebnis ist der erstklassige Einschaltwiderstand pro Fläche und Gate-Ladung für Applikationen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.