ROHM Semiconductor RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs
ROHM Semiconductor RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs verfügen über ein unbedrahtetes extrem kleines Gehäuse und ein freiliegendes Drain-Pad für eine ausgezeichnete Wärmeleitung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs der Baureihen RV8L002SN und RV8C010UN ein sehr schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen Antrieb mit 2,5 V mit extrem niedriger Spannung und ESD-Schutz bis zu 2 kV.
Die RV8L002SN und RV8C010UN MOSFETs von ROHM sind in einem DFN1010-3W-Gehäuse verfügbar und AEC-Q101-qualifiziert.
Merkmale
- Unbedrahtetes, extrem kleines und freiliegendes Drain-Pad für ein SMD-Kunststoffgehäuse mit hervorragender Wärmeleitung (1,0 mm x 1,0 mm x 0,4 mm)
- Seitenbenetzbare Flanken für die automatische optische Lötinspektion (AOI)
- Verzinnte, 100 % lötbare Seitenpads garantieren min. 125 μm
- AEC-Q101-qualifiziert
- ESD-Schutz bis zu 2 kV (HBM)
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Ultra-Niederspannungsantrieb mit 2,5 V
Applikationen
- Schaltkreise
- Low-Side-Lastschalter
- Relais-Treiber
Typische Applikations-Schaltung
Weitere Ressourcen
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-09
| Aktualisiert: 2024-10-23