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ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der -30V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7E04BBJFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET im Automobilstandard mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -30 V und einem Dauersperrstrom (ID) von ±40 A, der gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist. Dieser MOSFET verfügt über einen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von 7,52 mΩ (max.) bei VGS = -10 V, ID = -20 A oder 11,3 mΩ (max.) bei VGS = -4,5 V, ID = -10 A. Die Gate-Gesamtladung (Qg) beträgt 65,0 nC (typ.) bei VDD = -15 V ID = -10 A VGS = -10 V. Der ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA ist ideal für Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 7,5 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A)
    • 11,3 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -10 A)
  • Verlustleistung (PD): 75 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 65,0 nC (typ.) (VDD = -15 V,ID = -10 A, VGS = -10 V)
    • 34,0 nC (typ.) (VDD = -15 VID = -10 A VGS = -4,5 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Tabelle - ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-23 | Aktualisiert: 2025-08-19