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RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 1.99 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7E04BBJFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7E04BBJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN8 P-CH 30V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7E04BBJFRATCB Datenblatt

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	€ 1,27	€ 12,70
	€ 0,886	€ 88,60
	€ 0,746	€ 373,00
	€ 0,664	€ 664,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,564	€ 1 692,00
	€ 0,558	€ 3 348,00
	€ 0,553	€ 4 977,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	105 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	160 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

RH7E04BBJFRATCB Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der -30V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7E04BBJFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET im Automobilstandard mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von -30 V und einem Dauersperrstrom (I_D) von ±40 A, der gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist. Dieser MOSFET verfügt über einen Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) von 7,52 mΩ (max.) bei V_GS = -10 V, I_D= -20 A oder 11,3 mΩ (max.) bei V_GS = -4,5 V, I_D = -10 A. Die Gate-Gesamtladung (Q_g) beträgt 65,0 nC (typ.) bei V_DD = -15 V I_D = -10 A V_GS = -10 V. Der ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA ist ideal für Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.