ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
Die Super Fast Recovery Dioden von ROHM Semiconductor wurden entwickelt, um den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen zu verbessern. Diese Dioden zeichnen sich durch planares Silizium-Epitaxiesystem, niedrige Durchlassspannung und geringe Schaltverluste aus. Diese RFNxLBxS sind ideal für allgemeine Applikationen.
Merkmale
- 600 VRRM wiederholte Spitzensperrspannung
- 400 V (RFN2LB4S und RFN3LB4S)
- 600 V (RFN2LB6S und RFN3LB6S)
- Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom:
- 2 A (RFN2LB4S und RFN2LB6S)
- 3 A (RFN3LB4S und RFN3LB6S)
- SpitzendurchlassStromstoß:
- 35 A (RFN2LB6S und RFN3LB6S)
- 55 A (RFN2LB4S und RFN3LB4S)
- Kleiner Leistungsformtyp
- Geringe Durchlassspannung
- Niedrige Schaltverluste
- Ideal für allgemeine Gleichrichtung
Mechanisches Diagramm
Dazugehörige Diode
ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode
Bietet eine niedrige Durchlassspannung und niedrige Schaltverluste in einem DO-214AA-Gehäuse.
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| RF302LB2STBR1 |  |
Kleinsignal-Schaltdioden RECT 200V 3A SM SUPER FST |
| RFN2LB4STBR1 | |
Gleichrichter RECT 400V 2A SM SUPER FST |
| RFN2LB6STBR1 | |
Gleichrichter RECT 600V 2A SM SUPER FST |
| RFN3LB4STBR1 | |
Gleichrichter RECT 400V 3A SM SUPER FST |
| RFN3LB6STBR1 | |
Gleichrichter RECT 600V 3A SM SUPER FST |
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-12
| Aktualisiert: 2025-07-14