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RF302LB2STBR1

Name: ROHM Semiconductor RF302LB2STBR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF302LB2STBR1
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF302LB2STBR1

Herst.- Nr.:

RF302LB2STBR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Kleinsignal-Schaltdioden RECT 200V 3A SM SUPER FST

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RF302LB2STBR1 Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,843	€ 0,84
	€ 0,52	€ 5,20
	€ 0,355	€ 35,50
	€ 0,28	€ 140,00
	€ 0,232	€ 232,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,192	€ 576,00

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Kleinsignal-Schaltdioden
Produkt:	Fast Recovery Diodes
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DO-214AA-2
Spitzensperrspannung:	200 V
Max. Spitzenstrom:	80 A
If - Durchlassstrom:	3 A
Konfiguration:	Single
Rückstellungszeit:	16 ns
Vf - Durchlassspannung:	840 mV
Ir - Sperrstrom:	10 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt-Typ:	Small Signal Switching Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode

Die ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode bietet eine niedrige Durchlassspannung und niedrige Schaltverluste in einem DO-214AA-Gehäuse. Das Bauteil hat eine Sperrspannung von 200 V, einen Spitzen-Durchlassstrom von 80 A und einen durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 3 A. Die RF302LB2S extrem schnelle Freilaufdiode eignet sich hervorragend für Universal-Applikationen.

Switching Diodes

ROHM Semiconductor Switching Diodes are designed to encompass a broad lineup with outstanding quality and highly flexible supply. These ROHM switching diodes are small mold-type diodes housed in high-reliability packages. The switching diodes feature an epitaxial planar structure and are ideal for general and high-speed switching.

Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

Die Super Fast Recovery Dioden von ROHM Semiconductor wurden entwickelt, um den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen zu verbessern. Diese Dioden zeichnen sich durch planares Silizium-Epitaxiesystem, niedrige Durchlassspannung und geringe Schaltverluste aus. Diese RFNxLBxS sind ideal für allgemeine Applikationen.