ROHM Semiconductor RF6L025BG Leistungs-MOSFET
Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine 60 V Drain-Source-Spannung (VDSS) und einen ±2,5 A Dauersenkenstrom (ID). Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS (on)) von 91 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (PD). Der RF6L025BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauteil enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6/SOT-363T)
- Halogenfrei
Technische Daten
- 60 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- ±20 V Gate-Source-Spannung (VGSS)
- -55 °C bis 150 °C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
- 91 mΩ RDS(on)(max.)
- ±2,5 A Dauersenkenstrom (ID)
- 1 W Verlustleistung (PD)
Applikationen
- Motorantriebe
- Schalten
- DC/DC-Wandler
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-30
| Aktualisiert: 2024-02-02