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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF6L025BGTCR

Herst.- Nr.:

RF6L025BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SOT363 N-CH 60V 2.5A

Datenblatt:

RF6L025BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,585	€ 0,59
	€ 0,36	€ 3,60
	€ 0,231	€ 23,10
	€ 0,175	€ 87,50
	€ 0,157	€ 157,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,13	€ 390,00
	€ 0,12	€ 720,00
	€ 0,107	€ 963,00
	€ 0,104	€ 2 496,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363T-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	91 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns

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Datenblatt

RF6L025BGTCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF6L025BG Leistungs-MOSFET

Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine 60 V Drain-Source-Spannung (V_DSS) und einen ±2,5 A Dauersenkenstrom (I_D). Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_{DS (on)}) von 91 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (P_D). Der RF6L025BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauteil enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.