onsemi Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW-SiC Normal-on-JFET

UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700 V-400 mW SiC Normally-on JFET zeichnet sich durch einen äußerst niedrigen On-Widerstand (R_{DS (on)}) und eine Gate-Ladung (Q _G) aus, was zu niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten führt. Der niedrige R_{DS (ON)} -Wert dieses JFETs bei V_GS = 0 V eignet sich hervorragend für Stromschutzschaltungen ohne aktive Steuerung und für den Kaskadenbetrieb. Der UF3N170400B7S 1700 V-400 mW SiC Normally-on JFET bietet eine niedrige Gate-Ladung und eine geringe intrinsische Kapazität. Dieser FET arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C, ist in einem D² PAK-7L-Gehäuse erhältlich und ist RoHs-konform, halogen- und bleifrei. Typische Applikationen sind Überstromschutzschaltungen, DC-AC Umrichter, Schaltnetzteile, Blindleistungskompensationsmodule, Motorantriebe und Induktionserwärmung.