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UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 58.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UF3N120007K4S

Herst.- Nr.:

UF3N120007K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs UF3N120007K4S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

UF3N120007K4S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V to 30 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	20 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.1 mOhms
Pd - Verlustleistung:	789 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UF3N
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UF3N120007K4S Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V

Der EliteSic-JFET-N-Kanal-Transistor mit 1.200 V UF3N120007K4S von onsemi ist ein Hochleistungs-SiC-JFET-Transistor der 3. Generation mit 1.200 V und 7,1 mΩ und normalerweise geschlossenem Schaltzustand. Dieses Gerät weist einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand [R_DS(ON)] in einem TO247-4 Gehäuse auf und ist daher bestens geeignet für die Bewältigung anspruchsvoller thermischer Einschränkungen von Halbleiter-Leistungsschaltern und Relaisanwendungen. Bei dem Bauteil UF3N120007K4SJFET von onsemi handelt es sich um eine robuste Technologie, die dazu ausgelegt ist, die in Schaltungsschutzapplikationen erforderliche Hochenergieumschaltung durchzuführen.