onsemi Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs
Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Qrr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige QG und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.
Merkmale
- MOSFET-Technologie mit abgeschirmtem GATE
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 150 V
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- 100 % UIS-getestet
Applikationen
- Synchrongleichrichtung (SR)
- AC-DC- und DC/DC-NetzteileStromversorgung
- AC/DC-Adapter-SR (USB-PD)
- Lastschalter
Leistungsdiagramme
Verwandte Produkte
onsemi PowerTrench Technologie
Repräsentiert die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie, insbesondere von T6 bis T10.
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| NTB7D3N15MC |  |
MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK |
| NTMFS7D5N15MC | |
MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56 |
| NTMFS7D8N10GTWG | |
MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE |
| NTB5D0N15MC | |
MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK |
| NTMFS015N15MC | |
MOSFETs PTNG 150V 15MOHM PQFN56 |
| NTMFS034N15MC | |
MOSFETs PTNG 150V 34MOHM PQFN56 |
| NTB011N15MC | |
MOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK |
| NTMFS4D2N10MDT1G | |
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL |
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-16
| Aktualisiert: 2024-11-07