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onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si-/SiC-Hybridmodule

onsemi NXH240B120H3Q1x1G Leistungsintegrierte Si-/SiC-Hybrid-Module (PIMs) enthalten ein 1.200-V-Dreikanal-IGBT- + SiC-Aufwärtsmodul und einen NTC-Thermistor. Jeder Kanal besteht aus einem schnellschaltenden 80-A-IGBT, einer 30-A-SiC-Diode, einer Bypass-Diode und einer IGBT-Schutzdiode. Integrierte Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, was einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit ermöglicht.

Merkmale

  • 1.200-V-Ultra-Field-Stop-IGBTs
  • Niedrige Sperrverzögerung und schnellschaltende SiC-Dioden
  • Niedriges induktives Layout
  • Press-Fit-Pins/Lötkontakte
  • Thermistor-

Applikationen

  • Solar-Wechselrichter
  • Umweltbelastungseignungstest (Environmental Stress Screening, ESS)

Technische Daten

  • IGBT (T11, T21, T31)
    • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1.200 V
    • Maximale Gate-Emitter-Spannung: ±20 V
    • Maximaler Kollektordauerstrom: 92 A
    • Maximaler gepulster Kollektorstrom: 276 A
    • Maximaler Leistungsverlust: 266 W
  • Schutzdiode (D11, D21, D31)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1.200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 41 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 123 A
    • Maximaler Leistungsverlust: 54 W
  • Maximale Isolationsprüfspannung: 3.000 VRMS
  • Maximale Kriechstrecke: 12,7 mm
  • Siliziumkarbid-Aufwärtsdiode (D12, D22, D32)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1.200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 37 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 111 A
    • Maximaler Leistungsverlust: 99 W
  • Bypass-Diode (D13, D23, D33)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1.200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 54 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 162 A
    • Maximaler Leistungsverlust: 64 W
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °V

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Veröffentlichungsdatum: 2024-01-26 | Aktualisiert: 2024-06-18