NXH240B120H3Q1x1G Si-/SiC-Hybridmodule

onsemi NXH240B120H3Q1x1G Leistungsintegrierte Si-/SiC-Hybrid-Module (PIMs) enthalten ein 1.200-V-Dreikanal-IGBT- + SiC-Aufwärtsmodul und einen NTC-Thermistor. Jeder Kanal besteht aus einem schnellschaltenden 80-A-IGBT, einer 30-A-SiC-Diode, einer Bypass-Diode und einer IGBT-Schutzdiode. Integrierte Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, was einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit ermöglicht.

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Technologie
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi NXH240B120H3Q1PG
onsemi IGBT-Module PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
Datenblatt
19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules SiC, Si
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Datenblatt
480Ab Werk erhältlich
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Min.: 24
Mult.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si