onsemi NTH4L Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs
Die Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs NTH4L von onsemi sind eine Produktfamilie von 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs. Die MOSFETs zeichnen sich durch extrem niedrige Gate-Ladungen und geringe Schaltverluste aus. Einige MOSFET-Modelle bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringen Kapazitätswerten. Die Baureihe NTH4L ist 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die SiC-MOSFETs NTH4L von onsemi sind ideal für verschiedene Stromversorgungsanwendungen, darunter Solarumrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Energiespeichersysteme und Schaltnetzteile (SNT).
Merkmale
- TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Quellenkonfiguration
- n-Kanal-MOSFET
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei und RoHs-konform
Applikationen
- Solarumrichter
- EV-Ladestationen
- USV
- Energiespeichersysteme
- SMPS
Datenblätter
n-Kanal-MOSFET
Verwandte MOSFETs
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Bieten geringe Schaltverluste und sind in einem TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität untergebracht.
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Veröffentlichungsdatum: 2023-01-05
| Aktualisiert: 2025-03-04