NTH4L Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs

Die Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs NTH4L von onsemi sind eine Produktfamilie von 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs. Die MOSFETs zeichnen sich durch extrem niedrige Gate-Ladungen und geringe Schaltverluste aus. Einige MOSFET-Modelle bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringen Kapazitätswerten. Die Baureihe NTH4L ist 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die SiC-MOSFETs NTH4L von onsemi sind ideal für verschiedene Stromversorgungsanwendungen, darunter Solarumrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Energiespeichersysteme und Schaltnetzteile (SNT).

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname

onsemi SiC-MOSFETs DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Datenblatt
246Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Datenblatt
1 634Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC