onsemi NTTFS1D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der NTTFS1D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi zeichnet sich durch ein kompaktes Design und gute thermische Leistung aus. Dieser MOSFET bietet einen niedrigen Drain-zu-Quellen-Widerstand (RDS(on)), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG) und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Der NTTFS1D8N02P1E MOSFET von Onsemi bietet eine Spannung von 25 V (V(BR)DSS) und einen maximalen Drainstrom von 150 A (ID). Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Leistungs-Lastschalter, Notebook-Batteriemanagement, Motorsteuerung, Sekundärgleichrichtung, Batteriemanagement und Punktlast (POL).
Merkmale
- Kleiner Footprint in einem Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm mit fortschrittlicher Leistungstechnologie
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- 1,3 mΩ at 10 V
- 1,8 mΩ at 4,5 V
- Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
- 25 V V(BR)DSS
- Maximal 150 A ID
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Leistungslastschalter
- Batteriemanagement für Notebooks
- Motorsteuerung
- Sekundärseitige Gleichrichtung
- Batteriemanagement
- POL
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-16
| Aktualisiert: 2024-06-03