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NTTFS1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D8N02P1E
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS1D8N02P1E

Herst.- Nr.:

NTTFS1D8N02P1E

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

Datenblatt:

NTTFS1D8N02P1E Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 1,08	€ 540,00
	€ 1,03	€ 1.030,00
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	€ 1,01	€ 3.030,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	17.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	46 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFS1D8N02P1E
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	122,136 mg

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Datenblatt

NTTFS1D8N02P1E Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTTFS1D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NTTFS1D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi zeichnet sich durch ein kompaktes Design und gute thermische Leistung aus. Dieser MOSFET bietet einen niedrigen Drain-zu-Quellen-Widerstand (R_DS(on)), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (Q_G) und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Der NTTFS1D8N02P1E MOSFET von Onsemi bietet eine Spannung von 25 V (V_(BR)DSS) und einen maximalen Drainstrom von 150 A (I_D). Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Leistungs-Lastschalter, Notebook-Batteriemanagement, Motorsteuerung, Sekundärgleichrichtung, Batteriemanagement und Punktlast (POL).