Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Der IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET von Littelfuse ist ein einfach zu montierender AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedriger Gehäuseinduktivität. Dieser MOSFET wird mit dem robusten PolarP™-Verfahren hergestellt, hat ein kompaktes Design und ist Avalanche-eingestuft. Der IXTY2P50PA MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von -500 V, einen Avalanche-Strom von -2 A, eine Avalanche-Energie von 150 mJ und eine Verlustleistung von 58 W. Dieser MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören High-Side-Schalter, Push-Pull-Verstärker, automatische Testausrüstungen, Stromregler und DC-Chopper.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Avalanche-eingestuft
  • Robuster PolarP™-Prozess
  • Geringe Gehäuseinduktivität
  • Einfache Montage
  • Platzsparend

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung: -500 V
  • Avalanche-Strom: -2 A
  • Avalanche-Energie: 150 mJ
  • Verlustleistung: 58 W
  • Betriebstemperaturbereich: -50 °C bis 150 °C

Applikationen

  • High-Side-Schalter
  • Push-Pull-Verstärker
  • DC-Chopper
  • Automatische Testsysteme
  • Stromregler

Pinbelegungsdiagramm (TO-252)

Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Abmessungen

Technische Zeichnung - Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2023-09-14 | Aktualisiert: 2023-09-27