IXTY2P50PA

IXYS
576-IXTY2P50PA
IXTY2P50PA

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
500 V
2 A
4.2 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
11.9 nC
- 55 C
+ 150 C
58 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 66 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.4 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 62 ns
Verpackung ab Werk: 70
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Der IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET von Littelfuse ist ein einfach zu montierender AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedriger Gehäuseinduktivität. Dieser MOSFET wird mit dem robusten PolarP™-Verfahren hergestellt, hat ein kompaktes Design und ist Avalanche-eingestuft. Der IXTY2P50PA MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von -500 V, einen Avalanche-Strom von -2 A, eine Avalanche-Energie von 150 mJ und eine Verlustleistung von 58 W. Dieser MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören High-Side-Schalter, Push-Pull-Verstärker, automatische Testausrüstungen, Stromregler und DC-Chopper.