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Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

Die 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFETs IXSJxN120R1 von Littelfuse sind Hochleistungsbauelemente, die für anspruchsvolle Stromwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Die IXSJxN120R1 MOSFETs von Littelfuse nutzen die überlegenen Eigenschaften der SiC-Technologie, um geringe Schaltverluste, einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung zu erzielen. Der IXSJ25N120R1 bietet einen typischen RDS(on) von 80 mΩ und ist für Applikationen mit niedrigerem Stromverbrauch optimiert, während IXSJ43N120R1 und IXSJ80N120R1 niedrigere Einschaltwiderstandswerte von 45 mΩ bzw. 20 mΩ aufweisen und somit höhere Strombelastbarkeiten unterstützen. Alle drei Bauteile zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, eine robuste Avalanche-Fähigkeit und einen Kelvin-Source-Pin zur verbesserten Gate-Treiber-Steuerung aus. Diese Eigenschaften machen die IXSJxN120R1-Baureihe ideal für den Einsatz in Umrichtern für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern, industriellen Motorantrieben und hocheffizienten Stromversorgungen.

Merkmale

  • Bis zu 1.200 V Sperrspannung mit niedrigen RDS(on)-Optionen von 18 mΩ, 36 mΩ oder 62 mΩ
  • Optionen für niedrige Gate-Ladung (52 nC, 79 nC oder 154 nC)
  • Optionen für eine niedrige Eingangskapazität (1.498 pF, 2.453 pF oder 4.522 pF)
  • Flexibler GATE-Spannungsbereich (15 V bis 18 V) und 0 V empfohlene GATE-Abschaltspannung
  • Geringe Leitungsverluste und reduzierte Dissipation
  • Niedriger GATE-Treiberstrombedarf
  • Unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit reduzierten GATE-Treiberverlusten
  • ISO247-3L-Gehäuse
    • Hochleistungsfähiges, keramikbasiertes, isoliertes Gehäuse verbessert den thermischen Widerstand Rth(j-h) und die Strombelastbarkeit
    • 2.500 VAC (RMS) Isolationsspannung für 1 Minute
    • Reduzierte EMI, die auf die geringe Streukapazität zwischen Chip und Kühlkörper zurückzuführen ist
    • Übersicht über Industriestandardpakete

Applikationen

  • EV-Ladeinfrastrukturen
  • Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Motorantriebe
  • DC/DC-Wandler
  • Akkuladegeräte
  • Induktionserwärmung
  • Applikationen

Datenblätter

Pinbelegungs-Diagramm

Technische Zeichnung - Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

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Veröffentlichungsdatum: 2025-06-17 | Aktualisiert: 2026-01-06