IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
Die 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFETs IXSJxN120R1 von Littelfuse sind Hochleistungsbauelemente, die für anspruchsvolle Stromwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Die IXSJxN120R1 MOSFETs von Littelfuse nutzen die überlegenen Eigenschaften der SiC-Technologie, um geringe Schaltverluste, einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung zu erzielen. Der IXSJ25N120R1 bietet einen typischen RDS(on) von 80 mΩ und ist für Applikationen mit niedrigerem Stromverbrauch optimiert, während IXSJ43N120R1 und IXSJ80N120R1 niedrigere Einschaltwiderstandswerte von 45 mΩ bzw. 20 mΩ aufweisen und somit höhere Strombelastbarkeiten unterstützen. Alle drei Bauteile zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, eine robuste Avalanche-Fähigkeit und einen Kelvin-Source-Pin zur verbesserten Gate-Treiber-Steuerung aus. Diese Eigenschaften machen die IXSJxN120R1-Baureihe ideal für den Einsatz in Umrichtern für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern, industriellen Motorantrieben und hocheffizienten Stromversorgungen.
