IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
IXYS IXSJxN120R1K SiC- Leistungs-MOSFETs von 1.200 V verfügen über eine Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von IXYS bieten eine geringe elektrische Ladung des Gate von 79 nC (IXSJ43N120R1K) oder 155 nC (IXS80N120R1K) und eine geringe Eingangskapazität von 2.453 pF (IXSJ43N120R1K) oder 4.556 pF (IXSJ80N120R1K). Der IXSJxN120R1K bietet einen flexiblen Gate-Spannungsbereich von 15 V bis 18 V und eine empfohlene Gate-Abschaltspannung von 0 V. Applikationen umfassen Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge (EV), Solar- Umrichter Schaltnetzteile Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Motorantriebe und mehr.
Merkmale
- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ
- Niedrige Gate-Ladung
- 79 nC (IXSJ43N120R1K)
- 155 nC (IXS80N120R1K)
- Flexibler Gate-Spannungsbereich von 15 V bis 18 V
- Niedrige Eingangskapazität
- 2.453 pF (IXSJ43N120R1K)
- 4.556 pF (IXSJ80N120R1K)
- Empfohlene Gate-Abschaltspannung
Applikationen
- EV-Ladeinfrastrukturen
- Umrichter
- Schaltnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- Akkuladegeräte
- Induktionserwärmung
- Applikationen
Technische Daten
- Virtueller Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- Drainströme
- 46 A (IXSJ43N120R1K)
- 80 A (IXSJ80N120R1K)
- RDS(on) typisch
- 18 mΩ (IXSJ80N120R1K)
- 36 mΩ (IXSJ43N120R1K)
Datenblätter
Pinbelegungsdiagramm (ISO247-4L)
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Veröffentlichungsdatum: 2025-08-06
| Aktualisiert: 2025-08-27