IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
Der IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET ist mit einer ultraschnellen intrinsischen Bodydiode ausgelegt und bietet eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175°oC. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET verfügt über eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand und Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität. Der IXSH80N120L2KHV MOSFET wird in Schaltnetzteilen, Solar-Wechselrichtern, USV, Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmungsapplikationen verwendet.
Merkmale
- SiC-MOSFET-Technologie
- 1.200 V mit niedrigem RDS (on) von 30 mΩ
- 79AAIDDrainstrom
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Ultraschnelle intrinsische Bodydiode
- Kelvin-Quellkontakt
- MSL-1-Schutzart
- RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Schaltnetzteile
- USV
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- EV-Ladeinfrastruktur
- Induktionserwärmung
Abmessungen Zeichnung (TO-247-4 L)
Verwandter SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-14
| Aktualisiert: 2025-02-18