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IXSH40N120L2KHV

Name: IXYS IXSH40N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N120L2KHV
Price: 7.48 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSH40N120L2KHV

Herst.- Nr.:

IXSH40N120L2KHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSH40N120L2KHV Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	104 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11.7 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	14.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.9 ns

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Datenblatt

IXSH40N120L2KHV Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

Der IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET ist mit einer ultraschnellen intrinsischen Bodydiode ausgelegt und bietet eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175°C. Der IXSH40N120L2KHV MOSFET verfügt über eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand und Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität. Der IXSH40N120L2KHV MOSFET wird in Schaltnetzteilen, Solar-Wechselrichtern, USV, Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmungsapplikationen verwendet.