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Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren

CoolGaN™ G3 Transistoren von Infineon Technologies  sind für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand aus, was eine effiziente Leistungsumwandlung und reduzierte Energieverluste ermöglicht. Die CoolGaN G3 Transistoren von Infineon sind in vier Spannungsoptionen (60 V, 80 V, 100 V oder 120 V) erhältlich und ermöglichen ein extrem schnelles Schalten mit einer extrem niedrigen elektrischen Gate-/Ausgangsladung. Die Transistoren sind in kompakten PQFN-Gehäusen untergebracht, die das Wärmemanagement verbessern und eine beidseitige Kühlung unterstützen, was einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Eigenschaften machen die CoolGaN G3 Transistoren zur ersten Wahl für Applikationen wie Telekommunikation, Stromversorgung von Rechenzentren und industrielle Stromversorgungssysteme.

Merkmale

  • Extrem schnelles Schalten und Hoher Wirkungsgrad
  • Platzsparendes und äußerst robustes Gehäuse
  • Keine Sperrverzögerungsladung
  • Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
  • Freiliegende Gussform für Wärmeleistung auf der Oberseite
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
  • Industrietaugliches 3 mm x 5 mm PG-TSON-6 Gehäuse
  • Vollständig nach JEDEC für Industrieapplikationen qualifiziert
  • Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform

Applikationen

  • Batteriebetriebene Elektrowerkzeuge
  • E-Mobilität und UAVs
  • Robotik und Drohnen
  • Solar- und Energiespeichersysteme
  • Telekommunikation und Rechenzentren
  • Stromsparende SMPS
  • Synchrone Gleichrichtung für AC/DC- und DC/DC-Wandler

Technische Daten

  • Maximale ununterbrochene Drain-Quellenspannung: 60 V, 80 V, 100 V oder 120 V
  • Maximaler Leistungsverlust: 45 W
  • ±6,5 V Maximale gepulste gate-source-Spannung
  • -4.0 V bis 5,5 V Gate-Source-Spannungsbereich
  • 1,2 V bis 2,9 V Gate-Schwellenspannungsbereich
  • 0,5 Ω Typischer Gate-Widerstand
  • 1,9 mΩ bis 3,7 mΩ maximaler Drain-Source-on-StripState-Widerstandsbereich
  • Kapazität
    • 1.100 pF bis 1.700 pF maximaler Eingangsbereich
    • Maximaler Ausgangsbereich: 550 pF bis 770 pF
    • Maximaler Rückwärtsübertragungsbereich: 6,4 pF bis 22 pF
  • Typische Gate-Ladung
    • Gate-Source-Ladungsbereich: 2,7 nC bis 4,0 nC
    • Gate-Ladung im Schwellenbereich: 2,9 nC bis 2,0 nC
    • Gate-zu-Drain-Ladebereich: 2,3 nC bis 3,6 nC
    • Schaltladebereich: 3,0 nC bis 4,7 nC
    • Gate-Ladungs-Gesamtbereich: 10 nC bis 13 nC
    • Gate-Plateau-Spannungsbereich: 2,7 V bis 2,8 V
    • Ausgangsladungsbereich: 37 nC bis 49 nC
  • Umkehrbetrieb
    • Maximaler Gleichstromsperrbereich: 15 A bis 16 A
    • Maximaler umgepulster Strombereich: 284 A bis 396 A
    • Maximale Quelle-Drain-Spannung: 3,4 V
    • Sperrverzögerungsladung: 0 nC (typisch)
  • Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • Thermischer Widerstand
    • 0,6 °C/W max. Sperrschicht-zu-Gehäuse-Oberseite
    • 2,8 °C/W max. Sperrschicht-zu-Gehäuse-Unterseite
    • 60 °C/W typ. Sperrschicht-zu-Umgebung 1s0p
    • 38 °C/W typ. Sperrschicht-zu-Umgebung 2s2p

Abmessungen

Technische Zeichnung - Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Datenblatt GaN FETs MV GAN DISCRETES
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Datenblatt GaN FETs MV GAN DISCRETES
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Datenblatt GaN FETs MV GAN DISCRETES
Veröffentlichungsdatum: 2025-03-31 | Aktualisiert: 2026-01-15