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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 9 083Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 9 960Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 3 526Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 2 712Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm 3 024Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 3 677Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm 3 170Auf Lager
10 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 1 915Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN