Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren
Die Bipolartransistoren DXTP80x PNP von Diodes Incorporated bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI® -3333-8-Gehäuse, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Die Bauteile liefern eine Kollektor-Emitter- Spannung von > -30 V, -60 V oder -100 V und eine Emitter-Basis-Spannung > -8 V. Das DXTP80x ist ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen geeignet, mit einer Temperaturbewertung von +175 °C. Die PNP-Bipolartransistoren von Diodes Inc. eignen sich hervorragend für Motoren, Solenoide, Relais und Aktor-Treiber-Steuerungen.
Merkmale
- BV-CEO >-30 V, -60 V oder -100 V
- BVEBO >-8 V
- Dauerstrom IC von -4 A bis -7,5 A
- Spitzenimpulsstrom ICM von -10 A bis -14 A
- Ultraniedrige Sättigungsspannung VCE(sat) < -35="" mv="" bei="" -1="" a="">< -50="" spannung="" bei="" -1="" a="" oder="">< -70="" mv="" bei="" -1="">
- Hochstrom RCE (sat) = 13 mΩ, 26 mΩ oder 40 mΩ typisch
- Kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Für +175 °C ausgelegt; ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen
- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei – „Grünes“ Gerät
Applikationen
- MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber
- Last-Schalter
- Niederspannungsregulierung
- DC/DC-Wandler
- Motoren, Solenoide, Relais und Steuerungen für Stellantriebe
Technische Daten
- PowerDI 3333-8-Gehäuse
- Gehäusematerial aus geformtem Kunststoff, „grüne“ Formmasse, UL-Brennbarkeitsklasse 94V-0
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit der Stufe 1 pro J-STD-020
- Oberfläche – matte Zinnanschlüsse, lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208
Weitere Ressourcen
Zugeordnete Bipolartransistoren
Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren
Bietet ein kleines, thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-09
| Aktualisiert: 2025-09-18