DXTP80x PNP-Bipolartransistoren

Die Bipolartransistoren DXTP80x PNP von Diodes Incorporated bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI^® -3333-8-Gehäuse, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Die Bauteile liefern eine Kollektor-Emitter- Spannung von > -30 V, -60 V oder -100 V und eine Emitter-Basis-Spannung > -8 V. Das DXTP80x ist ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen geeignet, mit einer Temperaturbewertung von +175 °C. Die PNP-Bipolartransistoren von Diodes Inc. eignen sich hervorragend für Motoren, Solenoide, Relais und Aktor-Treiber-Steuerungen.