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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
3 603Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
3 866Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1 791Auf Lager
2 000erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape