Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus
Die 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus DMT31M8LFVWQ von Diodes Incorporated bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße. Die Bauteile bieten ein überlegenes Betriebsverhalten und eignen sich ideal für hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen. Die DMT31M8LFVWQ MOSFETs von Diodes Inc. sind in einem PowerDI®3333-8-Gehäuse mit einer benetzbaren Flanke für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich.
Merkmale
- Der niedrige RDS(ON)gewährleistet minimale Durchlassverluste
- Das thermisch effiziente Gehäuse mit kleiner Baugröße ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
- Belegt nur 33 % der von einem SO-8 belegten Platinenfläche und ermöglicht so ein kleineres Endprodukt
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
- Halogen- und antimonfreies Bauteil aus „Green”-Material
- Für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern
Applikationen
- Hintergrundbeleuchtung
- Energiemanagementfunktionen
- DC/DC-Wandler
Technische Daten
- PowerDI®3333-8-Gehäuse
- Gehäusematerial: Geformter Kunststoff mit umweltfreundlicher Formkomponente
- UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
- Feuchteempfindlichkeit 1 gemäß J-STD-020
- Finish – matt verzinnter, weichgeglühter Zinn über Kupfer-Leadframe
- Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
- Gewicht: ca. 0,003 g
Applikations-Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-21
| Aktualisiert: 2025-11-09