DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus

Die 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus DMT31M8LFVWQ von Diodes Incorporated bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße. Die Bauteile bieten ein überlegenes Betriebsverhalten und eignen sich ideal für hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen. Die DMT31M8LFVWQ MOSFETs von Diodes Inc. sind in einem PowerDI®3333-8-Gehäuse mit einer benetzbaren Flanke für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Datenblatt
3 000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 138 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel