Infineon Technologies REF-DAB11KIZSICSYS Wandlerboard
Die REF-DAB11KIZSICSYS-Wandlerboard von Infineon Technologies ist eine DC-DC-Stufe mit einem Weitbereichsausgang unter Verwendung von zwei Induktivitäten und zwei Kondensatoren (CLLC)-Resonanznetzwerk mit einer bidirektionalen Fähigkeit. Der REF-DAB11KIZSICSYS nutzt die hocheffiziente bidirektionale Stromflussfähigkeit und die Soft-Switching-Eigenschaften, um den idealen Baustein zu bilden, um das schnelle Prototyping jedes EV- und ESS-Ladegeräteprojekts zu beschleunigen.
Die CoolSiC™-MOSFETs wie die IMZ120R030M1H, die von 1EDC20I12AH angetrieben werden, sind die perfekte Wahl, um eine kostengünstige Leistungsdichte mit der höchsten Zuverlässigkeit zu kombinieren.
Merkmale
- 11 kW bei vollem Ausgangsspannungsbereich
- Bidirektionale Leistungsflussfähigkeit
- Hoher Wirkungsgrad >= 97,2 %
- 4,1 kW/l hohe Leistungsdichte
- Synchrongleichrichtung
- 1.200-V-und 1.700-V-CoolSiC™-MOSFETs
Applikationen
- Ladegeräte von 30 kW bis 150 kW
- Ladegeräte von 50 kW bis 350 kW
- Energiespeichersysteme
- Schnelles EV-Laden
- Leistungsumwandlungssysteme
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