| Die 700V-Leistungstransistoren CoolMOS™ P7 von Infineon zeichnen sich durch CoolMOS aus, einer revolutionären Technologie für Leistungs-MOSFETs mit hoher Spannung. Die 700V sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt. Die neuesten 700V CoolMOS P7 gehören zu einer optimierten Plattform, die auf kostensensible Applikationen für Verbrauchermärkte wie Ladegeräte, Adapter, Beleuchtung, Fernseher und vieles mehr zugeschnitten ist.
Die neue Baureihe bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs, kombiniert mit einem hervorragenden Preis-Leistungsverhältnis und modernster Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, was die Entwicklung sehr schlanker Designs ermöglicht. Merkmale - Extrem geringe Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on) Qg und RDS(on) Eoss
- Hervorragendes thermisches Verhalten
- Integrierte ESD-Schutz-Diode
- Geringe Schaltverluste (Eoss)
- Kostengünstige Technologie
- Niedrigere Temperatur
- Hoher ESD-Widerstand
- Ermöglicht Effizienzgewinne bei höheren Schaltfrequenzen
- Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren
- Qualifiziert für Applikationen in Standardqualität
Applikationen - Empfohlen für Flyback-Topologien zum Beispiel in Ladegeräten, Adaptern, Beleuchtungsapplikationen usw.
| | Die CoolMOS P7 800V-Leistungstransistoren von Infineon kombinieren hochwertige Leistungsfähigkeit mit Benutzerfreundlichkeit. Die P7 setzen neue Maßstäbe in der 800V-Superjunction-Technologie. Die Transistoren bieten eine Effizienzgewinnung von bis zu 0,6 % und eine 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur.
Diese Transistoren bieten optimierte Geräteparameter, wie zum Beispiel über 50 % weniger Eoss und Qg sowie reduzierte Ciss und Coss. Die CoolMOS P7 ermöglichen auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch weniger Schaltverluste und bessere DPAK RDS(on)-Produkte. Die CoolMOS P7 sind perfekt geeignet für energiesparende SMPS-Applikationen. Merkmale - Erstklassige Leistungsfähigkeit
- Ermöglicht Design mit höherer Leistungsdichte, geringere Stücklisten und geringere Montagekosten
- Einfach zu betreiben und parallel anzuordnen
- Bessere Produktionsrendite durch Reduzierung der ESD-bezogenen Ausfälle
- Weniger Produktionsprobleme und Rückgaben
- Einfache Auswahl der richtigen Teile für Design-Abstimmung
Applikationen - Empfohlen für hart- und weichschaltende Flyback-Topologien für LED-Beleuchtung
- Energiesparende Adapter und Ladegeräte
- Audio
- AUX- und industrielle Leistung
- PFC-Stufe in Verbraucherapplikationen
- Solaranlagen
| | Die CoolMOS P7 600V-Leistungstransistoren von Infineon sind Bauteile der 7. Generation und verwenden eine revolutionäre Technologie für Leistungs-MOSFETs mit hoher Spannung. Die 600V sind entsprechend dem Superjunction-Prinzip (SJ) entworfen und wurden erstmals von Infineon Technologies entwickelt.
Der 600 V CoolMOS P7 kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit. Die 600 V P7 besitzen eine sehr niedrige Überschwingungstendenz, gegen harte Kommutierung besonders widerstandsfähige Body-Dioden und hervorragende ESD-Fähigkeit.
Durch die äußerst niedrigen Leitungs- und Schaltverluste werden Schaltapplikationen noch wirkungsvoller, kompakter und kühler. Merkmale - Geeignet für Hart- Weichschaltungen (PFC und LLC) aufgrund des besonderen Kommutierungswiderstands
- Deutliche Verringerung von Schalt- und Leitungsverlusten
- Bessere RDS(on)/Gehäuseprodukte im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten durch ein niedriges RDS(on)*A (unten 1O hm *mm²)
- Großes Portfolio mit granularer RDS(on)-Auswahl qualifiziert für viele Industrie- und Verbraucherapplikationen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
- Einfache Nutzung und schnelles Design-in durch geringe Überschwingungs-Tendenz und -Verbrauch über PFC- und PWM-Stufen
- Hervorragende ESD-Festigkeit >2 kV (HBM) für alle Produkte
- Vereinfachtes Wärmemanagement durch geringe Schalt- und Leitungsverluste
- Erhöhte Leistungsdichte aktiviert durch die Verwendung von Produkten mit kleinerem Footprint und höherer Fertigungsqualität aufgrund von >2 kV ESD-Schutz
- Geeignet für eine große Auswahl von Applikationen und Leistungsbereichen
Applikationen - PFC-Stufen, hart schaltende PWM und Resonanzschalt-Leistungsstufen, z. B. PC Silverbox, Adapter, LCD und PDP-TV, Beleuchtung, Server, Telecom und UPS
| | Die Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver TLE9250 von Infineon Technologies werden in HS-CAN-Netzwerken für Automobil- und Industrieapplikationen eingesetzt. Die Transceiver entsprechen den Spezifizierungs-Anforderungen physischer Übertragungsschichten nach ISO 11898-2 (2016) sowie die SAE-Normen J1939 und J2284 Der TLE9250 ist in einem PG-DSO-8-Gehäuse und in einem kleinen PG-TSON-8-Gehäuse ohne Anschlüsse untergebracht. Beide Gehäuse sind RoHS-konform und halogenfrei. Zusätzlich unterstützt das PG-TSON-8-Gehäuse die Lötverbindungsanforderungen für die automatische optische Inspektion (AOI). Der TLE9250 schützt den Mikrocontroller vor Störungen im Netzwerk, indem er als Schnittstelle zwischen der physischen Bus-Schicht und dem HS-CAN-Protokoll-Controller fungiert. Eine sehr hohe ESD-Festigkeit und die perfekte HF-Störfestigkeit ermöglichen den Einsatz in Automotive-Applikationen, ohne zusätzliche Schutzelemente wie Suppressordioden hinzufügen zu müssen. Merkmale - Vollständig konform mit ISO 11898-2 (2016) und SAE J2284-4/-5
- Referenzbauteil und Teil der Interoperabilitätstest-Spezifikation für CAN-Transceiver
- Garantierte Schleifenverzögerungssymmetrie für CAN-FD-Datenframes bis zu 5 Mbit/s
- Sehr niedrige elektromagnetische Emission (EME) ermöglicht die Nutzung ohne zusätzliche Gleichtakt-Drosselspule
- Breiter Gleichtaktbereich für elektromagnetische Störfestigkeit (EMI)
- Hervorragende ESD-Stabilität +/-8 kV (HBM) und +/-11 kV (IEC 61000-4-2)
- Erweiterter Versorgungsbereich auf VCC
- CAN-Kurzschlussfestigkeit zu Masse, Batterie und VCC
- TxD-Time-Out-Funktion
- Sehr niedriger CAN-Bus-Ableitstrom im abgeschalteten Zustand
- Übertemperaturschutz
- Geschützt gegen Automotive-Transienten nach ISO 7637 und SAE J2962-2
- Receive-only- und Energiesparmodus
- Green Product (RoHS-konform)
- Kleines TSON8-Gehäuse ohne Anschlüsse für die automatische optische Inspektion (AOI)
- AEC qualifiziert
Applikationen - Motorsteuerungseinheiten (ECUs)
- Elektrische Servolenkung
- Getriebeststeuerung (TCUs)
- Fahrwerkssteuerungsmodule
| | Das EVAL_3kW_2LLC_C7 Evaluationsboard von Infineon Technologies wird zur Konstruktion einer Dualphasen-LLC-Systemlösung eines Telekommunikations-/Industrie-SNT mit hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad verwendet. Das Board verfügt über einen CoolMOS™ IPP60R040C7 600V-Leistungs-MOSFET auf der Primärseite und einen OptiMOS™-Leistungs-MOSFET mit niedriger Spannung im SuperSO8 BSC093N15NS5 auf der synchronen sekundären Stufe. Das Board verfügt außerdem über einen QR CoolSET ICE2QR2280Z, 1EDI60N12AF EiceDRIVER™, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-Treiber-ICs für MOSFETs, Low-Side-Gate-Treiber 2EDN7524R und digitalen LLC-Controller XMC4400. |
| | Das EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 45W-Adapter-Demoboard von Infineon Technologies wird zur Überprüfung von CoolMOS™ 800V-Hochspannungs-MOSFETs der P7-Baureihe verwendet. Der Adapter verwendet einen ICE2QS03G Quasi-Resonanz-Flyback-Controller mit Strommodussteuerung der zweiten Generation und einen IPA80R450P7 CoolMOS™ 800V-Leistungs-MOSFET der P7-Baureihe. Das Board ist als Form-, Fit- und Funktions-Testplattform für Ladegeräte und Adapter-Applikationen ausgelegt. Das Demoboard ist rund um die Quai-Resonanz-Flyback-Topologie ausgelegt, um Verbesserungen bei den Schaltverlusten zu erzielen, die Designs mit höherer Leistungsdichte und niedrigeren abgestrahlten und leitungsgebundenen Störungen ermöglichen. | |
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