Infineon Technologies CoolMOS® Leistungstransistoren

Die Infineon Technologies CoolMOS™ Leistungstransistoren verwenden die revolutionäre CoolMOS™-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die gemäß dem Superjunction(SJ)-Prinzip entworfen und von Infineon Technologies auf den Weg gebracht wurde. Die Leistungstransistoren der CoolMOS™ C6- und E6-Serie kombinieren die Erfahrung der führenden Anbieter von SJ MOSFETs mit hoher Innovationskraft. Die so erstellten Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen Schalt-MOSFETs, ohne Abstriche bei der Benutzerfreundlichkeit zu machen. Durch die äußerst niedrigen Leitungs- und Schaltverluste werden Schaltanwendungen noch wirkungsvoller, kompakter, leichter und kühler.

Merkmale:

Extrem geringe Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und EOSS
Sehr große Robustheit in der Kommutierung
Benutzer- und bedienfreundlich
Für Anwendungen in der Industrie gemäß JEDEC
(J-STD20 and JESD22) qualifiziert
Bleifreie Beschichtung

Anwendungen:

PFC-Stufen, hart schaltende PWM-Stufen und Resonanz-PWM-Stufen
für:

PC Silverbox

Adapter

LCD- und PDP-TV

Beleuchtung

Server

Telekommunikation

Teile-Nr.	Gehäuse/Hülle	Transistor-Polarität	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Qg - Gate-Ladung	Pd - Verlustleistung	Datenblatt

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Infineon Technologies
Semiconductors|Discrete Semiconductors|Transistors (FETs, Bipolars & IGBTs)

Veröffentlichungsdatum: 2011-08-10 | Aktualisiert: 2025-10-30

Infineon Technologies CoolMOS® Leistungstransistoren

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