SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 14
Mult.: 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 280 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 2 M x 36 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.17 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 8M x 9 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 8 M x 9 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 930 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 930 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 4 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-260
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel