2G/4G/8Gbit LPDDR4 DRAM with ECC

Intelligent Memory 2G/4G/8Gbit Low-Power Double Data Rate DRAM (LPDDR4) with integrated error correction (ECC) operates over the industrial temperature range and consumes less energy. The LPDDR4 devices feature a low 1.8V power supply and 1.1V at input/output. These AEC-Q100-qualified components offer a 1600MHz maximum speed with a 3200Mbps data rate and are available in a 200-ball FBGA package.

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
182Auf Lager
Min.: 1
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LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),0.6V,FBGA-200,-40C to +85C
Datenblatt
131Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),0.6V,FBGA-200,-40C to +85C
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134Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
65Auf Lager
Min.: 1
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LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
Datenblatt
544Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
Datenblatt
136Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME4G32L4 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME8G32L4 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4or4x Combo Tray