Ergebnisse: 36
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
Datenblatt
2 043Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
Datenblatt
476Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
Datenblatt
1 667Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Datenblatt
1 718Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
Datenblatt
958Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Datenblatt
646Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
Datenblatt
728Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Datenblatt
4 525Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
Datenblatt
5 782Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Datenblatt
1 953Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Datenblatt
385Auf Lager
2 550Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Datenblatt
1 372Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Datenblatt
253Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Datenblatt
1 205Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Datenblatt
1 800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Datenblatt
326Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Datenblatt
881Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Datenblatt
251Auf Lager
2 000erwartet ab 26.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh
Datenblatt
348Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Datenblatt
400Auf Lager
1 000erwartet ab 05.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
Datenblatt
370Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Datenblatt
210Auf Lager
1 200erwartet ab 29.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Datenblatt
651erwartet ab 25.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube