D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Datenblatt
3 642Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Datenblatt
3 646Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Datenblatt
679Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Datenblatt
1 703Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Datenblatt
786Auf Lager
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Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
Datenblatt
502Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Datenblatt
6 918Auf Lager
6 160Auf Bestellung
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Datenblatt
698Auf Lager
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
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275Auf Lager
300erwartet ab 26.10.2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
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861Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-channel MOSFET
Datenblatt
302Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
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469Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
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1 667Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Datenblatt
892Auf Lager
1 000erwartet ab 30.09.2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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1 240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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525Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Datenblatt
6 445Auf Lager
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
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52Auf Lager
3 050Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
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3Auf Lager
400erwartet ab 15.12.2026
Min.: 1
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Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
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556Auf Lager
40erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs 6Amps 1000V
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163Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Datenblatt
593Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
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237Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Datenblatt
100Auf Lager
200erwartet ab 18.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube